KLASIFIKACE VYSOKOFREKVENČNÍHO NAPÁJENÍ v PEVNÉM STAVU

Stejně jako vysokofrekvenční elektronka, i když základní principy jsou podobné. Vysokofrekvenční pevné skupenství lze také klasifikovat do různých typů podle různých požadavků, jako je použití, součásti, výkon a frekvence.

1. Klasifikace podle usměrňovací regulace napětí: Tyristory (SCR) lze použít k dokončení současného usměrnění a regulace napětí, nebo nejprve použijte usměrňovací diodu nebo tyristory a poté použijte IGBT regulaci napětí. Použití IGBT regulovaného napětí slouží ke zlepšení faktoru zařízení. Může ušetřit elektřinu a dále zlepšit kvalitu svařování.

2.Podle vstupního terminálu mají nebo nemají transformátor, lze klasifikovat dva druhy, pokud není přední žádný transformátor, pak normálně zadní vysokofrekvenční část přidá vysokofrekvenční transformátor k realizaci izolace mezi induktorem a mřížkou. Pokud máte vstupní transformátorové zařízení, pak bude rozdělen externí olejový transformátor a suchý transformátor.

3. Podle komponent použitých v invertorovém můstku existují nízkonapěťové MOS (tranzistor s efektem pole), vysokonapěťové MOS, IGBT (izolovaný hradlový bipolární tranzistor) a tak dále. Ať už vysokonapěťové nebo nízkonapěťové MOS, mohou je místo nich postavit nové komponenty SIC-MOS. Také IGBT mají výhody vysokonapěťového a nízkonapěťového MOS. napětí, rychlá spínací frekvence atd. Jedná se o současné alternativní komponenty normálních komponent MOS, mohou také nahradit IGBT, aby se staly první volbou pro nízkofrekvenční zařízení. Komponenty Sic lze použít ve všech sériích našich produktů společnosti. A po mnoha ověřeních na místě. Zákazník si může s jistotou vybrat.

4. Podle různého zapojení obvodu rezonanční nádrže je rozdělen na dva typy: sériový a paralelní, jak je znázorněno na následujícím obrázku:

5. Podle způsobu instalace existují dva typy: samostatná svářečka a kompaktní svářečka. Samostatná svářečka znamená, že usměrňovač a invertor tvoří dvě skříně samostatně. Kompaktní svářečka znamená, že usměrňovací skříň a invertorová skříň tvoří skříň vše v jednom. Sériové i paralelní mají oddělenou svářečku a kompaktní svářečku. Obecně nízkopříkonová zařízení volí kompaktní svářečku a velká energetická zařízení volí oddělenou svářečku.

6. na současném trhu sériová rezonance běžně používá vysokonapěťové MOS nebo IGBT a paralelní rezonance používá nízkonapěťový MOS.Žádný vstupní snižovací transformátor pro sériovou rezonanci, ale vysokofrekvenční transformátor bude muset dát po zpětném invertorovém můstku.Pro paralelní vysokofrekvenční někteří potřebují vstupní snižovací transformátor a někteří potřebují vysokofrekvenční transformátor po usměrnění regulace napětí.

Všechny různé typy vysokofrekvenčních zdrojů energie mají své vlastní charakteristiky, následující zařízení naší společnosti bude mít podrobný popis.